1HN04CH-TL-W

功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23

制造商:on semiconductor

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):270mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 140mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 20V

功率 - 最大值:600mW

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:3-CPH

标准包装:1

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